BIOS问答,非常实用之二
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由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了PROM(Programmable ROM,可编程ROM)。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料,用户可以用专用的编程器将自己的资料写入,但是这种机会只有一次,一旦写入后也无法修改,若是出了错误,已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢,一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(VPP=12―24V,随不同的芯片型号而定)。EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。
鉴于EPROM操作的不便,后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)。EPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升级时,把跳线开关打至“ON”的位置,即给芯片加上相应的编程电压,就可以方便地升级;平时使用时,则把跳线开关打至“OFF”的位置,防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以,至今仍有不少主板采用EPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。
FLASH ROM则属于真正的单电压芯片,在使用上很类似EPROM,因此,有些书籍上便把FLASH ROM作为EPROM的一种。事实上,二者还是有差别的。FLASH ROM在擦除时,也要执行专用的刷新程序,但是在删除资料时,并非以Byte为基本单位,而是以Sector(又称Block)为最小单位,Sector的大小随厂商的不同而有所不同;只有在写入时,才以Byte为最小单位写入;FLASH ROM芯片的读和写操作都是在单电压下进行,不需跳线,只利用专用程序即可方便地修改其内容;FLASH ROM的存储容量普遍大于EPROM,约为512K到至8M KBit,由于大批量生产,价格也比较合适,很适合用来存放程序码,近年来已逐渐取代了EPROM,广泛用于主板的BIOS ROM,也是CIH攻击的主要目标。
Q:怎么确定我的主板BIOS是可擦写的BIOS ?
A:很简单,把机箱打开,揭开BIOS 芯片上(一般是28 或 32脚的双列直插式集成电路,上面是贴的是印有BIOS生产商的封条)的标签,可以看到芯片的型号。对照下面,你就可以确定系统里是否包含可擦写的BIOS。
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Am29F010:AMD 5 伏的 FLASH ROM
Am28F010、Am28F010A: AMD 12 伏的 FLASH ROM
AT28C010、AT28MC010、AT29C010、AT29LC010、AT29MC010:Atmel 5 伏的 FLASH ROM
CAT28F010V5、CAT28F010V5I:Catalyst 5 伏的 FLASH ROM
CAT28F010、CAT28F010I:Catalyst 12 伏的 FLASH ROM
28F010:Fujitsu(富士通)12 伏的 FLASH ROM 或 ISSI 12 伏的 FLASH ROM
HN58C1000:Hitachi(东芝) 5 伏的 FLASH ROM
HN28F101、HN29C010、HN29C010B、HN58C1001、HN58V1001:Hitachi (东芝)12 伏的 FLASH ROM
A28F010、28F001BX-B、28F001BX-T、28F010:Intel 12 伏的 FLASH ROM
M5M28F101FP、M5M28F101P、M5M28F101RV、M5M28F101VP:Mitsubishi 12 伏的 FLASH ROM
MX28F1000:MXIC 12 伏的 FLASH ROM
MSM28F101:OKI 12 伏的 FLASH ROM
KM29C010:Samsung 5 伏的 FLASH ROM
DQ28C010、DYM28C010、DQM28C010A:SEEQ 5 伏的 FLASH ROM
DQ47F010、DQ48F010:SEEQ 12 伏的 FLASH ROM
M28F010、M28F1001:SGS-Thomson 12 伏的 FLASH ROM
28EE011、29EE010:SST 5 伏的 FLASH ROM
PH29EE010:SST 5 伏的 FLASH ROM
TMS29F010:Texas-Instr 5 伏的 FLASH ROM
TMS28F010:Texas-Instr 12 伏的 FLASH ROM
W29EE011:Winbond 5 伏的 FLASH ROM
W27F010:Winbond 12 伏的 FLASH ROM
X28C010、X28C010I、XM28C010、XM28C010I:XICOR 5 伏的 FLASH ROM
29LVxxx - 3V FLASH ROM (较少见)
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BIOS问答,非常实用之二 结束。
由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了PROM(Programmable ROM,可编程ROM)。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料,用户可以用专用的编程器将自己的资料写入,但是这种机会只有一次,一旦写入后也无法修改,若是出了错误,已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢,一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(VPP=12―24V,随不同的芯片型号而定)。EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。
鉴于EPROM操作的不便,后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)。EPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性,可以使BIOS具有良好的防毒功能,在升级时,把跳线开关打至“ON”的位置,即给芯片加上相应的编程电压,就可以方便地升级;平时使用时,则把跳线开关打至“OFF”的位置,防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以,至今仍有不少主板采用EPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。
FLASH ROM则属于真正的单电压芯片,在使用上很类似EPROM,因此,有些书籍上便把FLASH ROM作为EPROM的一种。事实上,二者还是有差别的。FLASH ROM在擦除时,也要执行专用的刷新程序,但是在删除资料时,并非以Byte为基本单位,而是以Sector(又称Block)为最小单位,Sector的大小随厂商的不同而有所不同;只有在写入时,才以Byte为最小单位写入;FLASH ROM芯片的读和写操作都是在单电压下进行,不需跳线,只利用专用程序即可方便地修改其内容;FLASH ROM的存储容量普遍大于EPROM,约为512K到至8M KBit,由于大批量生产,价格也比较合适,很适合用来存放程序码,近年来已逐渐取代了EPROM,广泛用于主板的BIOS ROM,也是CIH攻击的主要目标。
Q:怎么确定我的主板BIOS是可擦写的BIOS ?
A:很简单,把机箱打开,揭开BIOS 芯片上(一般是28 或 32脚的双列直插式集成电路,上面是贴的是印有BIOS生产商的封条)的标签,可以看到芯片的型号。对照下面,你就可以确定系统里是否包含可擦写的BIOS。
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28F010:Fujitsu(富士通)12 伏的 FLASH ROM 或 ISSI 12 伏的 FLASH ROM
HN58C1000:Hitachi(东芝) 5 伏的 FLASH ROM
HN28F101、HN29C010、HN29C010B、HN58C1001、HN58V1001:Hitachi (东芝)12 伏的 FLASH ROM
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MX28F1000:MXIC 12 伏的 FLASH ROM
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DQ28C010、DYM28C010、DQM28C010A:SEEQ 5 伏的 FLASH ROM
DQ47F010、DQ48F010:SEEQ 12 伏的 FLASH ROM
M28F010、M28F1001:SGS-Thomson 12 伏的 FLASH ROM
28EE011、29EE010:SST 5 伏的 FLASH ROM
PH29EE010:SST 5 伏的 FLASH ROM
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W29EE011:Winbond 5 伏的 FLASH ROM
W27F010:Winbond 12 伏的 FLASH ROM
X28C010、X28C010I、XM28C010、XM28C010I:XICOR 5 伏的 FLASH ROM
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